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企业信息

苏州新杰邦电子技术有限公司

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经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:江苏 苏州

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元器件产品

FZ600R12KE3 IGBT模块晶体管 英飞凌

型号/规格:FZ600R12KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:900A 功率 - 最大值:2800W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.15V @ 15V,600A 电流 - 集电极截止:5mA 工作温度:-40°C ~ 125°C 不同 Vce 时的输入电容:42nF @ 25V NTC 热敏电阻:是

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BSM600GA120DLC晶体管IGBT模块 英飞凌

型号/规格:BSM600GA120DLC 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:62MM 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:36.5 mm 安装方式:Screw 工作温度(Max):125 ℃ 工作温度(Min):-40 ℃ 系列:BSM 批号:19+ 储存温度:-40 +125℃

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FZ800GA12KE3 IGBT模块 英飞凌晶体管

型号/规格:FZ800GA12KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:AG-62MM-2 额定功率:3550000mW 击穿电压:1200 V ECCN代码:EAR99 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:36.5 mm 工作温度(Max):-40 +125 ℃ 输入电容(Cies):56nF @25V

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FZ900GA12KE4 IGBT模块 晶体管 英飞凌

型号/规格:FZ900GA12KE4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:AG-62MM-2 引脚数:4 耗散功率:4300 W 击穿电压:1200 V 工作温度:-40℃ ~ 150℃ 安装方式:Screw 包装方式:Box 含铅标准:无铅 输入电容(Cies):56nF @25V 额定功率:4300 W

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FZ900GA12KP4 IGBT模块 英飞凌晶体材料

型号/规格:FZ900GA12KP4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:AG-62MM-2 引脚数:4 额定功率:4300 W 耗散功率:4300 W 击穿电压:1200 V 工作温度:-40℃ ~ 150℃ 安装方式:Screw 输入电容(Cies):56nF @25V 包装方式:Box 含铅标准:无铅

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BSM200GAL120DLC晶体管IGBT 英飞凌半导体

型号/规格:BSM200GAL120DLC 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:半桥 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:420A 功率 - 最大值:1550W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.6V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:13nF @ 25V NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装

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IGBT模块FD200R12KE3 英飞凌晶体材料

型号/规格:FD200R12KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单斩波器 电压 - 集射极击穿:1200V 功率 - 最大值:1050W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.15V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:14nF @ 25V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块

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IGBT模块BSM300GAL120DLC 英飞凌半导体

型号/规格:BSM300GAL120DLC 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 集电极 - 发射极电压:1200V DC集电极电流:300A 625A 重复峰值集电极电流:600A 总功耗:2,5kW 栅极 - 发射极电压峰值:+/- 20V 直流正向电流:300A 重复峰值FORW:600A 输入电容:21nF 输入:标准 系列:BSM

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晶体管IGBT FD300R12KE3 可控硅英飞凌

型号/规格:FD300R12KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 集电极 - 发射极电压:1200V DC集电极电流:300A 625A 重复峰值集电极电流:600A 总功耗:2.5kW 栅极 - 发射极电压峰值:+/- 20V 直流正向电流:300A 重复峰值FORW:600A 绝缘测试电压:2.5kV 输入电容:21nF 输入:标准

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晶体管IGBT FD300R06KE3 可控硅英飞凌

型号/规格:FD300R06KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:AG-62MM-1 引脚数:7 耗散功率:940000 mW 击穿电压:600 V 工作温度:-40℃ ~ 150℃ 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:30.5 mm 安装方式:Panel 输入电容(Cies)-:19nF @25V

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晶体管IGBT模块 DF200R12KE3 英飞凌半导体

型号/规格:DF200R12KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:IS5a ( 62 mm )-5 引脚数:5 额定功率:1040 W 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 击穿电压:1200V 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:30.9 mm 安装方式:Screw 输入电容(Cies)--:14nF @25V

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FZ400R12KE3晶体管IGBT 可控硅英飞凌

型号/规格:FZ400R12KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:单一 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:650A 功率 - 最大值:2250W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.15V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:28nF @ 25V 输入:标准 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装

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FZ400R12KE4晶体管IGBT 英飞凌半导体

型号/规格:FZ400R12KE4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:单一 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:400A 功率 - 最大值:2400W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.1V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:28nF @ 25V 工作温度:-40°C ~ 150°C NTC 热敏电阻:是

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BSM400GA120DN2 晶体管IGBT 可控硅英飞凌

型号/规格:BSM400GA120DN2 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:单开关 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:550A 功率 - 最大值:2700W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:3V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止:8mA 不同 Vce 时的输入电容:26nF @ 25V 工作温度:150°C 安装类型:底座安装 封装/外壳:模块

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BSM400GA120DLC 晶体管IGBT 英飞凌半导体

型号/规格:BSM400GA120DLC 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:单一 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:625A 功率 - 最大值:2500W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.6V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:26nF @ 25V NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装

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