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企业信息

苏州新杰邦电子技术有限公司

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营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:江苏 苏州

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元器件产品

英飞凌BSM300GA120DN2S-E3256 IGBT模块

型号/规格:BSM300GA120DN2S-E3256 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:62MM 耗散功率:2500 W 击穿电压:1200V 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:36.5 mm 安装方式:Screw 工作温度(Max):150 ℃ 工作温度(Min):-40 ℃ 输入:标准

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英飞凌BSM400GA120DN2FS-E3256 IGBT模块

型号/规格:BSM400GA120DN2FS-E3256 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:62MM 引脚数:5 耗散功率:2.7 kW 击穿电压(:1200V 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:36.5 mm 工作温度(Max):150 ℃ 工作温度(Min):-40 ℃ 安装方式:Screw

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IGBT模块BSM400GA120DN2S 英飞凌半导体

型号/规格:BSM400GA120DN2S 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 集电极 - 发射极电压:1200V 集电极 - 栅极电压:1200V 栅极 - 发射极电压:± 20V DC集电极电流:550A 400A 集电极电流脉冲:800A 1100A 功率耗散:2700W 芯片的温度:+150°C 储存温度:-40 ... + 125°C 输入:标准 安装方式:底座安装

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IGBT模块FZ400R12KE3B1 英飞凌晶体材料

型号/规格:FZ400R12KE3B1 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:62 mm 引脚数:5 耗散功率:2250000 mW 击穿电压:1200V 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:36.5 mm 安装方式:Panel 工作温度(Max):125 ℃

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英飞凌BSM200GB120DN2B IGBT 可控硅

型号/规格:BSM200GB120DN2B 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:290A 功率 - 最大值:1400W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:3V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止:4mA 不同 Vce 时的输入电容:13nF @ 25V 工作温度:150°C NTC 热敏电阻:无 输入:标准 安装类型:底座安装

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F4-150R12KS4 IGBT模块 英飞凌可控硅半导体

型号/规格:F4-150R12KS4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:AG-ECONO3-4 引脚数:26 耗散功率:960W 击穿电压:1200V 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 长度:122 mm 宽度:62 mm 高度:17 mm 安装方式:Screw 包装方式:Box

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FZ400R12KS4 IGBT模块 英飞凌半导体

型号/规格:FZ400R12KS4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:单一 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:510A 功率 - 最大值:2500W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:3.7V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:26nF @ 25V 输入:标准 工作温度:-40°C ~ 125°C NTC 热敏电阻:无

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FF150R12KS4晶体管IGBT 英飞凌半导体

型号/规格:FF150R12KS4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:225A 功率 - 最大值:1250W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:3.7V @ 15V,150A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:11nF @ 25V 输入:标准 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装

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FF200R12KS4英飞凌IGBT模块 晶体管

型号/规格:FF200R12KS4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:275A 功率 - 最大值:1400W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:3.7V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:13nF @ 25V 输入:标准 工作温度:-40°C ~ 125°C NTC 热敏电阻:无

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FF300R12KS4 IGBT模块晶体管 英飞凌可控硅

型号/规格:FF300R12KS4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:AG-62MM-1 引脚数:7 额定功率:1.95 kW 击穿电压:1200V 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:30.9 mm 安装方式:Screw 包装方式:Box

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FF100R12KS4 IGBT模块 英飞凌晶体管

型号/规格:FF100R12KS4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:150A 功率 - 最大值:780W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:3.7V @ 15V,100A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:650nF @ 25V 输入:标准 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装

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BSM200GAR120DLC晶体管IGBT 英飞凌可控硅

型号/规格:BSM200GAR120DLC 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:420A 功率 - 最大值:1550W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.6V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:13nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装

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BSM300GAR120DLC IGBT晶体管 英飞凌可控硅

型号/规格:BSM300GAR120DLC 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 集电极 - 发射极电压:1200V DC集电极电流:300A 625A 重复峰值集电极电流:600A 总功耗:2.5kW 栅极 - 发射极电压峰值:+/- 20V 直流正向电流:300A 重复峰值FORW:600A 输入电容:21nF 反向传输电容:1,4nF 输入:标准

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英飞凌DF300R12KE3 IGBT模块 可控硅

型号/规格:DF300R12KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:62MM-1 引脚数:5 额定功率:1470 W 击穿电压:1200 V 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:30.9 mm 安装方式:Screw 耗散功率(Max)-:1470000 mW

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DF400R12KE3 IGBT晶体管 英飞凌半导体

型号/规格:DF400R12KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:62MM 引脚数:5 耗散功率:2000000 mW 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 击穿电压(:1200 V 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:30.5 mm 安装方式:Screw 包装方式:Box

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