您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册
4年
企业信息

苏州新杰邦电子技术有限公司

卖家积分:6001分-7000分

营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:江苏 苏州

人气:382064
企业档案

相关证件:营业执照已审核 

会员类型:

会员年限:4年

19951266678 QQ:2317798005

电话:051257718939

手机:19951266678

阿库IM:

地址:昆山开发区朝阳东路109号亿丰机电城北D202

E-mail:2317798005@qq.com

元器件产品

英飞凌 FF400R06KE3 IGBT模块 半导体

型号/规格:FF400R06KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 系列:C IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿:600V 电流 - 集电极:500A 功率 - 最大值:1250W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:1.9V @ 15V,400A 工作温度:-40°C ~ 150°C 电流 - 集电极截止:5mA NTC 热敏电阻:无

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005 

英飞凌 FF400R12KT3 IGBT模块 晶体材料

型号/规格:FF400R12KT3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:AG-62MM-1 额定功率:2000 W 耗散功率:2 kW 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:30.9 mm 安装方式:Screw 输入:标准 系列:FF

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005 

英飞凌 FF400R12KE3 IGBT模块 可控硅

型号/规格:FF400R12KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:580A 功率 - 最大值:2000W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.15V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:28nF @ 25V 工作温度:-40°C ~ 125°C NTC 热敏电阻:无

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005 

FF450R12KT4 IGBT模块 英飞凌可控硅

型号/规格:FF450R12KT4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 系列:C IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:580A 功率 - 最大值:2400W 电流 - 集电极截止:5mA 工作温度:-40°C ~ 150°C NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005 

FF450R12KE4 英飞凌IGBT模块 半导体

型号/规格:FF450R12KE4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:520A 功率 - 最大值:2400W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.15V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:28nF @ 25V 工作温度:-40°C ~ 150°C NTC 热敏电阻:无

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005 

英飞凌 FF200R12KE3 IGBT模块 半导体

型号/规格:FF200R12KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:半桥 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:295A 功率 - 最大值:1050W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.15V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:14nF @ 25V 输入:标准 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装方式:底座安装

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005 

IGBT模块 FF200R12KE4 英飞凌晶体材料

型号/规格:FF200R12KE4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 引脚数:7 额定功率:1100 W 耗散功率:1.1 kW 击穿电压:1200 V 工作温度:-40℃ ~ 150℃ 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:30.5 mm 输入电容(Cies):14nF @25V 极性:NPN

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005 

FF200R12KT4 IGBT模块 英飞凌半导体材料

型号/规格:FF200R12KT4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 集电极-发射极电压:1200V 集电极直流电流:200A 320A 集电极重复峰值电流:400A 总功率损耗:1100W 栅极-发射极峰值电压:+/-20V 输入电容:14,0nF 工作温度:150 储存温度:-40 +125 输入:标准 安装方式:底座安装

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005 

IGBT模块 FF200R12KT3 英飞凌半导体材料

型号/规格:FF200R12KT3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:AG-62MM-1 引脚数:7 耗散功率:1050W ECCN代码:EAR99 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:30.9 mm 安装方式:Screw 输入:标准

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005 

BSM300GA170DN2S-E3256 IGBT模块 英飞凌

型号/规格:BSM300GA170DN2S-E3256 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 集电极 - 发射极电压:1700V 集电极 - 栅极电压:1700V 栅极 - 发射极电压:± 20V DC集电极电流:300A 440A 集电极电流脉冲:600A 880A IGBT功率耗散:2500W 芯片的温度:+ 150°C 储存温度:-40 ... + 125°C 系列:BSM 输入:标准

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005 

BSM400GA170DLS IGBT模块 英飞凌晶体材料

型号/规格:BSM400GA170DLS 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 电流:400A 电压:1700V 集电极 - 发射极电压:1700V 集电极 - 栅极电压:1700V 栅极 - 发射极电压:± 20V 芯片的温度:+150°C 储存温度:-40+125°C 系列:BSM 安装类型:底座安装 输入:标准

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005 

FF150R12KT3G IGBT模块 英飞凌半导体

型号/规格:FF150R12KT3G 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 集电极 - 发射极电压:1200V 集电极 - 栅极电压:1200V 栅极 - 发射极电压:+/-20V DC集电极电流:150A 225A IGBT功率耗散:780W 芯片温度:+150 储存温度:-40 +125 输入:标准 安装类型是:底座安装 系列:FF

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005 

IGBT模块 BSM200GA170DN2 英飞凌参数

型号/规格:BSM200GA170DN2 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 集电极 - 发射极电压:1700V 集电极 - 栅极电压:1700V 栅极 - 发射极电压:± 20V DC集电极电流:200A 290A 集电极电流脉冲:400A 580A IGBT功率耗散:1750W 芯片的温度:+ 150°C 储存温度:-40 ... + 125°C 系列:BSM 输入:标准

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005 

IGBT模块 BSM200GA170DLC 英飞凌PDF参数

型号/规格:BSM200GA170DLC 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:单一 电压 - 集射极击穿:1700V 电流 - 集电极:400A 功率 - 最大值:1920W 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装 NTC 热敏电阻:无 电流 - 集电极截止:400μA 输入:标准 封装/外壳:模块

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005 

IGBT模块 BSM300GA17IE4 英飞凌数据手册

型号/规格:BSM300GA17IE4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 集电极 - 发射极电压:1700V 集电极 - 栅极电压:1700V 栅极 - 发射极电压:± 20V DC集电极电流:300A 440A 集电极电流脉冲:600A 880A IGBT功率耗散:2500W 芯片的温度:+ 150°C 储存温度:-40 ... + 125°C 系列:BSM 输入:标准

发布询价

联系人:19951266678

电话:051257718939

QQ: QQ:2317798005