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企业信息

苏州新杰邦电子技术有限公司

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经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:江苏 苏州

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元器件产品

IGBT模块 SKM50GB123D 西门康晶体材料

型号/规格:SKM50GB123D 品牌/商标:SEMIKRON(西门康) 封装:D-61 引脚数:7 耗散功率:310 W 上升时间:60.0 ns 极性:N-Channel 安装方式:Screw 长:94mm 宽:34mm 高:30.1mm

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SKM50GB124D 西门康IGBT模块 可控硅

型号/规格:SKM50GB124D 品牌/商标:SEMIKRON(西门康) 引脚数:7 针脚数:7 极性:NPN 工作温度:-40℃ ~ 150℃ 长度:94 mm 宽度:34 mm 高度:30.1 mm 安装方式:Screw 晶体管极性:Dual NPN

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SKM50GB128D IGBT模块 西门康晶体管

型号/规格:SKM50GB128D 品牌/商标:SEMIKRON(西门康) 引脚数:7 针脚数:7 极性:NPN 工作温度:-40℃ ~ 150℃ 长度:94 mm 宽度:34 mm 高度:30.1 mm 安装方式:Screw

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FZ600R12KS4 IGBT模块 英飞凌晶体材料

型号/规格:FZ600R12KS4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:单一 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:700A 功率 - 最大值:3900W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:3.75V @ 15V, 600A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:39nF @ 25V 工作温度:-40°C ~ 125°C NTC 热敏电阻:无 输入:标准

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FD200R12KS4 IGBT模块 英飞凌晶体管可控硅

型号/规格:FD200R12KS4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:275A 功率 - 最大值:1400W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:3.7V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:13nF @ 25V 工作温度:-40°C ~ 125°C NTC 热敏电阻:无 输入:标准

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FD300R12KS4 IGBT模块 英飞凌半导体可控硅

型号/规格:FD300R12KS4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:62 mm 引脚数:5 额定功率:1950 W 击穿电压:1200V 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:30.5 mm 安装方式:Screw 包装方式:BOX

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DF200R12KS4 IGBT模块 可控硅 英飞凌晶体管

型号/规格:DF200R12KS4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:62 mm 引脚数:7 额定功率:1950 W 击穿电压:1200V 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:30.5 mm 安装方式:Screw 包装方式:Tray

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DF300R12KS4 IGBT模块 晶体管 英飞凌可控硅

型号/规格:DF300R12KS4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:62 mm 引脚数:3 额定功率:1950 W 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:30.5 mm 安装方式:Screw 击穿电压:1200V 包装方式-:Box

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IGBT模块BSM200GA120DN2FS-E3256 英飞凌

型号/规格:BSM200GA120DN2FS-E3256 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:62MM 引脚数:5 耗散功率:1550 W 击穿电压:1200V 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:36.5 mm 安装方式:Screw 包装方式:Box 工作温度(Max):150 ℃

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IGBT模块BSM200GA120DN2SE3256 英飞凌

型号/规格:BSM200GA120DN2SE3256 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:62MM 引脚数:5 耗散功率:1550 W 击穿电压:1200V 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:36.5 mm 安装方式:Screw 包装方式:Box ECCN代码:EAR99

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英飞凌BSM300GA120DN2S-E3256 IGBT模块

型号/规格:BSM300GA120DN2S-E3256 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:62MM 耗散功率:2500 W 击穿电压:1200V 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:36.5 mm 安装方式:Screw 工作温度(Max):150 ℃ 工作温度(Min):-40 ℃ 输入:标准

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英飞凌BSM400GA120DN2FS-E3256 IGBT模块

型号/规格:BSM400GA120DN2FS-E3256 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:62MM 引脚数:5 耗散功率:2.7 kW 击穿电压(:1200V 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:36.5 mm 工作温度(Max):150 ℃ 工作温度(Min):-40 ℃ 安装方式:Screw

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IGBT模块BSM400GA120DN2S 英飞凌半导体

型号/规格:BSM400GA120DN2S 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 集电极 - 发射极电压:1200V 集电极 - 栅极电压:1200V 栅极 - 发射极电压:± 20V DC集电极电流:550A 400A 集电极电流脉冲:800A 1100A 功率耗散:2700W 芯片的温度:+150°C 储存温度:-40 ... + 125°C 输入:标准 安装方式:底座安装

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IGBT模块FZ400R12KE3B1 英飞凌晶体材料

型号/规格:FZ400R12KE3B1 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:62 mm 引脚数:5 耗散功率:2250000 mW 击穿电压:1200V 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:36.5 mm 安装方式:Panel 工作温度(Max):125 ℃

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英飞凌BSM200GB120DN2B IGBT 可控硅

型号/规格:BSM200GB120DN2B 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:290A 功率 - 最大值:1400W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:3V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止:4mA 不同 Vce 时的输入电容:13nF @ 25V 工作温度:150°C NTC 热敏电阻:无 输入:标准 安装类型:底座安装

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