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企业信息

苏州新杰邦电子技术有限公司

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营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:江苏 苏州

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元器件产品

FF450R12ME4 IGBT模块 英飞凌可控硅

型号/规格:FF450R12ME4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:675A 功率 - 最大值:2250W 电流 - 集电极截止:3mA NTC 热敏电阻:是 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:底座安装 输入:标准

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BSM200GB120DN2 IGBT模块 英飞凌大电源

型号/规格:BSM200GB120DN2 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:半桥 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:290A 功率 - 最大值:1400W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:3V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止:4mA 不同 Vce 时的输入电容:13nF @ 25V 工作温度:150°C NTC 热敏电阻:无 输入:标准

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BSM200GB120DLC IGBT模块 英飞凌可控硅

型号/规格:BSM200GB120DLC 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:半桥 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:420A 功率 - 最大值:1550W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.6V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:13nF @ 25V 工作温度:-40°C ~ 125°C NTC 热敏电阻:无 输入:标准

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BSM200GB120DLC-E3256 IGBT模块 英飞凌

型号/规格:BSM200GB120DLC-E3256 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:半桥 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:420A 功率 - 最大值:1550W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.6V @ 15V,200A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:13nF @ 25V 工作温度:-40°C ~ 125°C NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装

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FF300R12KE3 IGBT模块 英飞凌半导体

型号/规格:FF300R12KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:440A 功率 - 最大值:1450W 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:21nF @ 25V 输入:标准 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座安装

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FF300R12KE4 IGBT模块 英飞凌晶体材料

型号/规格:FF300R12KE4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:460A 功率 - 最大值:1600W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:19nF @ 25V 工作温度:-40°C ~ 150°C NTC 热敏电阻:无

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BSM300GB120DLC IGBT模块 英飞凌可控硅

型号/规格:BSM300GB120DLC 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 配置:半桥 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:625A 功率 - 最大值:2500W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.6V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:21nF @ 25V 工作温度:-40°C ~ 125°C NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装

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FF300R12KT3 IGBT模块 英飞凌半导体

型号/规格:FF300R12KT3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 系列:C IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:450A 功率 - 最大值:1600W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.15V @ 15V,300A 电流 - 集电极截止:5mA 工作温度:-40°C ~ 150°C NTC 热敏电阻:无

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英飞凌 FF300R06KE3 IGBT模块 可控硅

型号/规格:FF300R06KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿:600V 电流 - 集电极:400A 功率 - 最大值:940W 工作温度:-40°C ~ 150°C NTC 热敏电阻:无 不同 Vce 时的输入电容:19nF @ 25V 不同 Vge,Ic 时的 Vce:1.9V @ 15V,300A 输入:标准

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英飞凌 FF300R07KE4 IGBT模块 晶体管

型号/规格:FF300R07KE4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿:650V 功率 - 最大值:940W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:1.95V @ 15V, 300A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:19nF @ 25V 工作温度:-40°C ~ 150°C NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装

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英飞凌 FF400R06KE3 IGBT模块 半导体

型号/规格:FF400R06KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 系列:C IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿:600V 电流 - 集电极:500A 功率 - 最大值:1250W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:1.9V @ 15V,400A 工作温度:-40°C ~ 150°C 电流 - 集电极截止:5mA NTC 热敏电阻:无

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英飞凌 FF400R12KT3 IGBT模块 晶体材料

型号/规格:FF400R12KT3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装:AG-62MM-1 额定功率:2000 W 耗散功率:2 kW 工作温度:-40℃ ~ 125℃ 长度:106.4 mm 宽度:61.4 mm 高度:30.9 mm 安装方式:Screw 输入:标准 系列:FF

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英飞凌 FF400R12KE3 IGBT模块 可控硅

型号/规格:FF400R12KE3 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:580A 功率 - 最大值:2000W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.15V @ 15V,400A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:28nF @ 25V 工作温度:-40°C ~ 125°C NTC 热敏电阻:无

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FF450R12KT4 IGBT模块 英飞凌可控硅

型号/规格:FF450R12KT4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 系列:C IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:半桥 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:580A 功率 - 最大值:2400W 电流 - 集电极截止:5mA 工作温度:-40°C ~ 150°C NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装

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FF450R12KE4 英飞凌IGBT模块 半导体

型号/规格:FF450R12KE4 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) IGBT 类型:沟槽型场截止 配置:2 个独立式 电压 - 集射极击穿:1200V 电流 - 集电极:520A 功率 - 最大值:2400W 不同 Vge,Ic 时的 Vce:2.15V @ 15V,450A 电流 - 集电极截止:5mA 不同 Vce 时的输入电容:28nF @ 25V 工作温度:-40°C ~ 150°C NTC 热敏电阻:无

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