IGBT模块英飞凌可控硅 BSM35GB120DN2_苏州新杰邦电子技术有限公司

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IGBT模块英飞凌可控硅 BSM35GB120DN2

型号/规格：

BSM35GB120DN2

品牌/商标：

INFINEON（英飞凌）

系列：

BSM

IGBT 类型：

IGBT模块

配置：

半桥

电压 - 集射极击穿（最大值：

1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：

50A

功率 - 最大值：

280W

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：

3.2V @ 15V，35A

电流 - 集电极截止（最大值）：

1mA

不同 Vce 时的输入电容（Cies）：

2nF @ 25V

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产品信息

苏州新杰邦电子主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron，IXYS艾赛斯、Mitsubishi三凌、Fuji富士、SanRex三社、POWERSEM、Vishay、美国IR、NELL尼尔；英国西玛，西班牙CATELEC，ABB等公司生产的igbt模块、可控硅、整流桥、二极管、；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；

IGBT是能源变换与传输器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广

BSM35GB120DN2 BSM35GB120DN2 BSM35GB120DN2 BSM35GB120DN2 BSM35GB120DN2 BSM35GB120DN2

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